SI5902DC-T1、SI5902DC-T1-E3、SI5902DC-T1-GE3对比区别

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型号 SI5902DC-T1 SI5902DC-T1-E3 SI5902DC-T1-GE3

描述 Small Signal Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 1206-8, CHIPFET-8MOSFET DUAL N-CH 30V 2.9A 1206-8Small Signal Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, 1206-8, CHIPFET-8

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 8 -

封装 - SMD-8 -

漏源极电阻 - 0.085 Ω -

极性 - Dual N-Channel -

耗散功率 - 1.1 W -

漏源极电压(Vds) - 30 V -

漏源击穿电压 - 30 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) - 2.90 A -

热阻 - 90℃/W (RθJA) -

额定功率(Max) - 1.1 W -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

长度 - 3.1 mm -

高度 - 1.1 mm -

封装 - SMD-8 -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -