SI5902BDC-T1-GE3、SI5902DC-T1-E3对比区别

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型号 SI5902BDC-T1-GE3 SI5902DC-T1-E3

描述 SI5902BDC-T1-GE3 Dual N-channel MOSFET Transistor, 3.7A, 30V, 8Pin 1206 ChipFETMOSFET DUAL N-CH 30V 2.9A 1206-8

数据手册 --

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SMD-8 SMD-8

漏源极电阻 - 0.085 Ω

极性 Dual N-Channel Dual N-Channel

耗散功率 - 1.1 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

漏源击穿电压 - 30 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) - 2.90 A

热阻 - 90℃/W (RθJA)

额定功率(Max) 3.12 W 1.1 W

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

输入电容(Ciss) 220pF @15V(Vds) -

长度 - 3.1 mm

高度 - 1.1 mm

封装 SMD-8 SMD-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC