STGD7NC60HT4中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 7.00 A
针脚数 3
耗散功率 70 W
输入电容 720 pF
上升时间 8.50 ns
击穿电压集电极-发射极 600 V
热阻 100 ℃/W
额定功率Max 70 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 70000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
STGD7NC60HT4引脚图与封装图
暂无图片
在线购买STGD7NC60HT4
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STGD7NC60HT4 | ST Microelectronics 意法半导体 | STGD7NC60H 系列 600 V 14 A N 沟道 极快速 PowerMESH IGBT - TO-252 | 搜索库存 |
替代型号STGD7NC60HT4
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STGD7NC60HT4 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-252 600V 7A 70000mW | 当前型号 | STGD7NC60H 系列 600 V 14 A N 沟道 极快速 PowerMESH IGBT - TO-252 | 当前型号 |
| 型号： STGD7NC60H 品牌： 意法半导体 封装： DPAK | 完全替代 | IGBT 分立，STMicroelectronics### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。 | STGD7NC60HT4和STGD7NC60H的区别 |
| 型号： HGTD7N60C3S9A 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-252-3 600V 14A 60000mW | 功能相似 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 3Pin2+Tab DPAK T/R | STGD7NC60HT4和HGTD7N60C3S9A的区别 |