HGTD7N60C3S9A、STGD7NC60HT4、IRG4PF50W对比区别

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型号 HGTD7N60C3S9A STGD7NC60HT4 IRG4PF50W

描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RSTGD7NC60H 系列 600 V 14 A N 沟道 极快速 PowerMESH IGBT - TO-252Trans IGBT Chip N-CH 900V 51A 3Pin(3+Tab) TO-247AC

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-247

额定电压(DC) 600 V 600 V 900 V

额定电流 14 A 7.00 A 51.0 A

针脚数 - 3 -

耗散功率 60 W 70 W -

输入电容 - 720 pF 3.30 nF

上升时间 - 8.50 ns 26.0 ns

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V -

热阻 - 100 ℃/W -

额定功率(Max) 60 W 70 W -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 60000 mW 70000 mW 200000 mW

额定功率 - - 200 W

产品系列 - - IRG4PF50W

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-247

高度 2.3 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

重量 0.0041657926016 kg - -

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -