STGD7NC60H、STGD7NC60HT4对比区别
型号 STGD7NC60H STGD7NC60HT4
描述 IGBT 分立，STMicroelectronics### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。STGD7NC60H 系列 600 V 14 A N 沟道 极快速 PowerMESH IGBT - TO-252
数据手册 --
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 DPAK TO-252-3
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
额定电压(DC) - 600 V
额定电流 - 7.00 A
针脚数 - 3
耗散功率 - 70 W
输入电容 - 720 pF
上升时间 - 8.50 ns
击穿电压(集电极-发射极) - 600 V
热阻 - 100 ℃/W
额定功率(Max) - 70 W
耗散功率(Max) - 70000 mW
长度 6.6 mm -
宽度 6.2 mm -
高度 2.4 mm -
封装 DPAK TO-252-3
产品生命周期 Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
ECCN代码 - EAR99