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STS10N3LH5、STS12N3LLH5、STS19N3LLH6对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STS10N3LH5 STS12N3LLH5 STS19N3LLH6

描述 N沟道30 V , 0.019 I© , 10 A , SO - 8 STripFETâ ?? ¢ V功率MOSFET N-channel 30 V, 0.019 Ω, 10 A, SO-8 STripFET™ V Power MOSFETN-Channel 30V 0.0075Ω SMT STripFET V Power Mosfet SOIC-8SO N-CH 30V 19A

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOIC-8 SO-8 SOIC-8

引脚数 8 8 -

通道数 - - 1

漏源极电阻 - - 4.9 mΩ

极性 - - N-CH

耗散功率 2500 mW 2.7 W 2.7W (Ta)

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 - - 30 V

连续漏极电流(Ids) - - 19A

输入电容(Ciss) 475pF @25V(Vds) 1290pF @25V(Vds) 1690pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 2.5W (Tc) 2.7W (Tc) 2.7W (Ta)

上升时间 22 ns 11.2 ns -

下降时间 2.8 ns 6 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

额定功率(Max) - 2.7 W -

封装 SOIC-8 SO-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free