STGB14NC60KDT4中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 25.0 A
极性 N-Channel
耗散功率 80000 mW
输入电容 760 pF
上升时间 8.50 ns
击穿电压集电极-发射极 600 V
热阻 62.5 ℃/W
反向恢复时间 37 ns
额定功率Max 80 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 80000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
宽度 9.35 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
STGB14NC60KDT4引脚图与封装图
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在线购买STGB14NC60KDT4
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STGB14NC60KDT4 | ST Microelectronics 意法半导体 | STGB14NC60K 系列 600 V 14 A 表面贴装 耐短路 IGBT - D2PAK | 搜索库存 |
替代型号STGB14NC60KDT4
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STGB14NC60KDT4 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： D2PAK 600V 25A 80000mW | 当前型号 | STGB14NC60K 系列 600 V 14 A 表面贴装 耐短路 IGBT - D2PAK | 当前型号 |
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| 型号： IRG4BC30KD-SPBF 品牌： 国际整流器 封装： TO-263-3 600V 28A 100W | 功能相似 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 100000mW 3Pin2+Tab D2PAK Tube | STGB14NC60KDT4和IRG4BC30KD-SPBF的区别 |