锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IRG4BC20KD-SPBF、STGB14NC60KDT4、STGB7NC60HDT4对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRG4BC20KD-SPBF STGB14NC60KDT4 STGB7NC60HDT4

描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 60000mW 3Pin(2+Tab) D2PAK TubeSTGB14NC60K 系列 600 V 14 A 表面贴装 耐短路 IGBT - D2PAKSTGB7NC60H 系列 600 V 14 A N 沟道 PowerMesh IGBT - D2PAK

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) 600 V 600 V 600 V

额定电流 16.0 A 25.0 A 14.0 A

极性 - N-Channel N-Channel

耗散功率 60 W 80000 mW 25 W

上升时间 34.0 ns 8.50 ns 8.50 ns

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V

反向恢复时间 37 ns 37 ns 37 ns

额定功率(Max) 60 W 80 W 80 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 80000 mW 80000 mW

产品系列 IRG4BC20KD-S - -

输入电容 - 760 pF -

热阻 - 62.5 ℃/W -

宽度 - 9.35 mm 9.35 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 10.67 mm - -

高度 9.65 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 EAR99