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IRG4BC30FD-SPBF、STGB14NC60KDT4对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRG4BC30FD-SPBF STGB14NC60KDT4

描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 31A 100000mW 3Pin(2+Tab) D2PAK TubeSTGB14NC60K 系列 600 V 14 A 表面贴装 耐短路 IGBT - D2PAK

数据手册 --

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) 600 V 600 V

额定电流 31.0 A 25.0 A

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 100 W 80000 mW

输入电容 - 760 pF

上升时间 27.0 ns 8.50 ns

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V

热阻 - 62.5 ℃/W

反向恢复时间 - 37 ns

额定功率(Max) 100 W 80 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 80000 mW

产品系列 IRG4BC30FD-S -

宽度 - 9.35 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

ECCN代码 - EAR99