FDS8928A、STS8C5H30L、IRF7319PBF对比区别

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型号 FDS8928A STS8C5H30L IRF7319PBF

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS8928A  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 5.5 A, 30 V, 0.025 ohm, 4.5 V, 670 mVSTMICROELECTRONICS  STS8C5H30L  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 8 A, 30 V, 0.018 ohm, 10 V, 1.6 VINTERNATIONAL RECTIFIER  IRF7319PBF  双路场效应管, N/P通道, MOSFET, 30V, SOIC 新

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电流 5.50 A 8.00 A 6.50 A

通道数 - 2 -

针脚数 8 8 8

漏源极电阻 0.025 Ω 0.018 Ω 29 mΩ

极性 N-Channel, P-Channel N-Channel, P-Channel N-Channel, P-Channel

耗散功率 2 W 1.6 W 2 W

阈值电压 670 mV 1.6 V 1 V

漏源极电压(Vds) 30V, 20V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V 30.0 V

栅源击穿电压 ±8.00 V ±16.0 V -

连续漏极电流(Ids) 5.50 A 8.00 A, 4.20 A 6.50 A

上升时间 23.0 ns 35.0 ns 13.0 ns

输入电容(Ciss) 900pF @10V(Vds) 857pF @25V(Vds) 650pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 900 mW 2 W 2 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 2000 mW -

产品系列 - - IRF7319

工作结温(Max) - - 150 ℃

输入电容 1.13 nF - -

栅电荷 20.0 nC - -

长度 - 5 mm 5 mm

宽度 - 4 mm -

高度 - 1.65 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2014/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 -