STS9NF30L中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 9.00 A
漏源极电阻 15.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.5W Tc
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±18.0 V
连续漏极电流Ids 9.00 A
上升时间 80.0 ns
输入电容Ciss 730pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
耗散功率Max 2.5W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STS9NF30L引脚图与封装图
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在线购买STS9NF30L
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STS9NF30L | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道30V - 0.015欧姆 - 9A型SO-8低栅电荷的STripFET功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.015 ohm - 9A SO-8 LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET | 搜索库存 |
替代型号STS9NF30L
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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