STS10N3LH5、STS9NF30L、STS19N3LLH6对比区别

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型号 STS10N3LH5 STS9NF30L STS19N3LLH6

描述 N沟道30 V ， 0.019 I© ， 10 A ， SO - 8 STripFETâ ?? ¢ V功率MOSFET N-channel 30 V, 0.019 Ω, 10 A, SO-8 STripFET™ V Power MOSFETN沟道30V - 0.015欧姆 - 9A型SO-8低栅电荷的STripFET功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.015 ohm - 9A SO-8 LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFETSO N-CH 30V 19A

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

引脚数 8 8 -

通道数 - - 1

漏源极电阻 - 15.0 mΩ 4.9 mΩ

极性 - N-Channel N-CH

耗散功率 2500 mW 2.5W (Tc) 2.7W (Ta)

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 - 30.0 V 30 V

连续漏极电流(Ids) - 9.00 A 19A

输入电容(Ciss) 475pF @25V(Vds) 730pF @25V(Vds) 1690pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 2.5W (Tc) 2.5W (Tc) 2.7W (Ta)

上升时间 22 ns 80.0 ns -

下降时间 2.8 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

额定电压(DC) - 30.0 V -

额定电流 - 9.00 A -

栅源击穿电压 - ±18.0 V -

额定功率(Max) - 2.5 W -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free