STS9NF30L、STS9NH3LL、STL65N3LLH5对比区别

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型号 STS9NF30L STS9NH3LL STL65N3LLH5

描述 N沟道30V - 0.015欧姆 - 9A型SO-8低栅电荷的STripFET功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.015 ohm - 9A SO-8 LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFETN沟道30 V - 0.018 Ω - 9 A - SO- 8低栅极电荷的STripFET ™III功率MOSFET N-channel 30 V - 0.018 Ω - 9 A - SO-8 low gate charge STripFET™ III Power MOSFETSTMICROELECTRONICS  STL65N3LLH5  晶体管, MOSFET, N沟道, 9.5 A, 30 V, 4.8 mohm, 10 V, 1 V

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOIC-8 SOIC-8 PowerVDFN-8

引脚数 8 - 8

耗散功率 2.5W (Tc) 2.5W (Tc) 60 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

输入电容(Ciss) 730pF @25V(Vds) 857pF @25V(Vds) 1500pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W 4 W

耗散功率(Max) 2.5W (Tc) 2.5W (Tc) 60W (Tc)

针脚数 - - 8

漏源极电阻 15.0 mΩ - 4.8 mΩ

极性 N-Channel - N-Channel

阈值电压 - - 1 V

连续漏极电流(Ids) 9.00 A - 9.50 A

上升时间 80.0 ns - 14.5 ns

下降时间 - - 4.5 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

额定电压(DC) 30.0 V - -

额定电流 9.00 A - -

漏源击穿电压 30.0 V - -

栅源击穿电压 ±18.0 V - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 PowerVDFN-8

长度 - - 4.75 mm

宽度 - - 5.75 mm

高度 - - 0.88 mm

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Obsolete Not Recommended for New Designs

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17