IRFP27N60KPBF、STW21NM60ND、STW18NM60N对比区别
型号 IRFP27N60KPBF STW21NM60ND STW18NM60N
描述 功率MOSFET Power MOSFETSTMICROELECTRONICS STW21NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS STW18NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 VISHAY (威世) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.22 Ω 0.17 Ω 0.26 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 500 W 140 W 110 W
阈值电压 5 V 4 V 3 V
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
上升时间 110 ns 16 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 4660pF @25V(Vds) 1800pF @50V(Vds) 1000pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 500 W 140 W 110 W
下降时间 38 ns 48 ns 25 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 500000 mW 140W (Tc) 110W (Tc)
连续漏极电流(Ids) 27.0 A - 13A
通道数 - - 1
漏源击穿电压 - - 600 V
长度 - 15.75 mm -
宽度 - 5.15 mm -
高度 - 20.15 mm -
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -