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IXFP130N10T、STB120N10F4、IXTP220N075T对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFP130N10T STB120N10F4 IXTP220N075T

描述 TO-220 N-CH 100V 130ATrans MOSFET N-CH 100V 120A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/RTO-220 N-CH 75V 220A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

封装 TO-220-3 TO-263-3 TO-220-3

引脚数 - - 3

耗散功率 360W (Tc) 300W (Tc) 480W (Tc)

耗散功率(Max) 360W (Tc) 300W (Tc) 480W (Tc)

漏源极电阻 9.1 mΩ - 4.50 mΩ

极性 N-CH - N-Channel

漏源极电压(Vds) 100 V - 75 V

漏源击穿电压 100 V - 75.0 V

连续漏极电流(Ids) 130A - 220 A

输入电容(Ciss) 5080pF @25V(Vds) - 7700pF @25V(Vds)

封装 TO-220-3 TO-263-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Obsolete

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS-conform RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -