STF13NM60N-H、STFI13NM60N、STF13NM60N对比区别

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型号 STF13NM60N-H STFI13NM60N STF13NM60N

描述 TO-220FP N-CH 600V 11A600V,11A,N沟道MOSFETN 通道 MDmesh™，600V/650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-262-3 TO-220-3

极性 N-CH - N-Channel

耗散功率 25W (Tc) 25 W 25 W

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 11A - 5.50 A

上升时间 8 ns 8 ns 8 ns

输入电容(Ciss) 790pF @50V(Vds) 790pF @50V(Vds) 790pF @50V(Vds)

额定功率(Max) 25 W - 25 W

下降时间 10 ns 10 ns 10 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 25W (Tc) 25W (Tc) 25W (Tc)

通道数 - - 1

漏源极电阻 - - 360 mΩ

输入电容 - - 790 pF

漏源击穿电压 - - 600 V

封装 TO-220-3 TO-262-3 TO-220-3

长度 - - 10.4 mm

宽度 - - 4.6 mm

高度 - - 16.4 mm

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

香港进出口证 - - NLR