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STD100NH03L、STU65N3LLH5、STD65N3LLH5对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STD100NH03L STU65N3LLH5 STD65N3LLH5

描述 N沟道30V - 0.005 W¯¯ - 60A DPAK STripFET⑩ III功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.005 W - 60A DPAK STripFET⑩ III POWER MOSFETIPAK N-CH 30V 65A晶体管, MOSFET, N沟道, 65 A, 30 V, 0.0061 ohm, 10 V, 1.8 V

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

封装 DPAK TO-251-3 TO-252-3

引脚数 - - 3

极性 N-CH N-CH -

耗散功率 - 50W (Tc) 50 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 60A 65A -

上升时间 - 11.2 ns 11.2 ns

输入电容(Ciss) - 1290pF @25V(Vds) 1290pF @25V(Vds)

下降时间 - 6 ns 6 ns

耗散功率(Max) - 50W (Tc) 50W (Tc)

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 0.0061 Ω

阈值电压 - - 1.8 V

额定功率(Max) - - 50 W

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

封装 DPAK TO-251-3 TO-252-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Not Recommended for New Designs Active

包装方式 - Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free