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STP60NF10

STMICROELECTRONICS  STP60NF10  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 19 mohm, 10 V, 3 V

N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。

### MOSFET ,STMicroelectronics


立创商城:
N沟道 100V 80A


得捷:
MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB


欧时:
STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STP60NF10, 80 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.019 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Looking for a component that can both amplify and switch between signals within your circuit? The STP60NF10 power MOSFET from STMicroelectronics provides the solution. Its maximum power dissipation is 300000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This device utilizes stripfet ii technology. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


富昌:
STP60NF10 系列 100 V 23 mOhm N 沟道 STripFET II 功率 MosFet - TO-220


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 66A; 300W; TO220-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Newark:
The STP60NF10 is a 100V N-channel STripFET™ II Power MOSFET realized with unique STripFET process. It has specifically been designed to minimize input capacitance and gate charge. It is therefore suitable as primary switch in advanced high efficiency isolated DC-DC converters for telecom and computer application. It is also intended for any application with low gate charge drive requirements. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.


儒卓力:
**N-CH 100V 80A 23mOhm TO220-3 **


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 80A TO-220


STP60NF10中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 80.0 A

针脚数 3

漏源极电阻 19 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 300 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 40.0 A

上升时间 56 ns

输入电容Ciss 4270pF @25VVds

额定功率Max 300 W

下降时间 23 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 15.75 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, 通信与网络, 工业, Communications & Networking, 计算机和计算机周边, Computers & Computer Peripherals

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

STP60NF10引脚图与封装图
STP60NF10引脚图

STP60NF10引脚图

STP60NF10封装图

STP60NF10封装图

STP60NF10封装焊盘图

STP60NF10封装焊盘图

在线购买STP60NF10
型号 制造商 描述 购买
STP60NF10 ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STP60NF10  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 19 mohm, 10 V, 3 V 搜索库存
替代型号STP60NF10
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: STP60NF10

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: TO-220 N-Channel 100V 40A 23mΩ

当前型号

STMICROELECTRONICS  STP60NF10  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 19 mohm, 10 V, 3 V

当前型号

型号: STB60NF10-1

品牌: 意法半导体

封装: TO-262-3

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STP60NF10和STB60NF10-1的区别

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品牌: 国际整流器

封装: TO-220AB N-Channel 100V 57A 23mohms

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品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-220 N-Channel 100V 56A 25mohms 2nF

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