HUF75639P3、STP60NF10、IRF3710ZPBF对比区别

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型号 HUF75639P3 STP60NF10 IRF3710ZPBF

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  HUF75639P3..  晶体管, MOSFET, N沟道, 56 A, 100 V, 21 mohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS  STP60NF10  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 19 mohm, 10 V, 3 VINTERNATIONAL RECTIFIER  IRF3710ZPBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 100V, 59A, TO-220AB 新

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 100 V 100 V 100 V

额定电流 56.0 A 80.0 A 59.0 A

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.025 Ω 19 mΩ 18 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 200 W 300 W 160 W

阈值电压 4 V 3 V 4 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 100 V 100 V 100 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 56.0 A 40.0 A 59.0 A

上升时间 60 ns 56 ns 77.0 ns

输入电容(Ciss) 2000pF @25V(Vds) 4270pF @25V(Vds) 2900pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 200 W 300 W 160 W

下降时间 25 ns 23 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 200000 mW 300W (Tc) -

产品系列 - - IRF3710Z

输入电容 2.00 nF - 2900pF @25V

额定功率 200 W - -

通道数 1 - -

栅电荷 57.0 nC - -

长度 10.67 mm 10.4 mm 10.67 mm

宽度 4.83 mm 4.6 mm -

高度 9.4 mm 15.75 mm 9.02 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 -