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IRF3710PBF、STP60NF10、IRFZ14PBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF3710PBF STP60NF10 IRFZ14PBF

描述 INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF3710PBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 100V, 57A, TO-220AB 新STMICROELECTRONICS  STP60NF10  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 19 mohm, 10 V, 3 V功率MOSFET Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 100 V 100 V 60.0 V

额定电流 57.0 A 80.0 A 10.0 A

通道数 1 - -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.023 Ω 19 mΩ 0.2 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 200 W 300 W 43 W

产品系列 IRF3710 - -

阈值电压 4 V 3 V 2 V

输入电容 3130pF @25V - -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 60 V

漏源击穿电压 100 V 100 V 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 57.0 A 40.0 A 10.0 A

上升时间 58.0 ns 56 ns 50 ns

输入电容(Ciss) 3130pF @25V(Vds) 4270pF @25V(Vds) 300pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 200 W 300 W 43 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

下降时间 - 23 ns 19 ns

耗散功率(Max) - 300W (Tc) 43 W

长度 10.67 mm 10.4 mm 10.41 mm

高度 16.51 mm 15.75 mm 9.01 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

宽度 - 4.6 mm 4.7 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

最小包装 - - 50

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

香港进出口证 NLR - -

ECCN代码 - EAR99 -