STP23NM60N、STW23NM60ND、STI23NM60ND对比区别

高亮显示差异参数

型号 STP23NM60N STW23NM60ND STI23NM60ND

描述 N沟道600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO- 220 / FP TO- 247 ，第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO-220/FP TO-247, second generation MDmesh™ Power MOSFETN 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN 通道 MOSFET，已停产### MOSFET - N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管或 MOSFET 是用于放大或切换电子信号的晶体管。 氧化物绝缘的栅极上的电压可在其它两个触点（称作源极和漏极）之间感应出一个导电通道。该通道可为 N 型或 P 型。

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-262-3

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 150 W 150W (Tc) 150 W

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

上升时间 15 ns 19 ns 19 ns

输入电容(Ciss) 2050pF @50V(Vds) 2050pF @50V(Vds) 2050pF @50V(Vds)

额定功率(Max) 150 W 150 W -

下降时间 36 ns 42 ns 42 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 150W (Tc) 150W (Tc) 150W (Tc)

通道数 1 - -

漏源极电阻 180 mΩ - -

漏源击穿电压 600 V - -

连续漏极电流(Ids) 9.50 A - -

长度 10.4 mm 15.75 mm 10.4 mm

宽度 4.6 mm 5.15 mm 4.6 mm

高度 9.15 mm 20.15 mm 10.75 mm

封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-262-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -