IRFBF20SPBF、STD2NK100Z、IRFBF20STRLPBF对比区别

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型号 IRFBF20SPBF STD2NK100Z IRFBF20STRLPBF

描述 Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 900V, 8Ω, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, D2PAK-3STMICROELECTRONICS  STD2NK100Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.85 A, 1 kV, 6.25 ohm, 10 V, 3.75 VPower Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 900V, 8Ω, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, D2PAK-3

数据手册 ---

制造商 Vishay Intertechnology ST Microelectronics (意法半导体) Vishay Intertechnology

分类 MOS管

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 3 -

封装 - TO-252-3 D2PAK

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 6.25 Ω -

极性 - N-Channel -

耗散功率 - 70 W -

阈值电压 - 3.75 V -

漏源极电压(Vds) - 1 kV -

上升时间 - 6.5 ns -

输入电容(Ciss) - 499pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 70 W -

下降时间 - 32.5 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 70W (Tc) -

长度 - 6.6 mm -

宽度 - 6.2 mm -

高度 - 2.4 mm -

封装 - TO-252-3 D2PAK

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -