
极性 N-Channel
耗散功率 140W Tc
输入电容Ciss 1800pF @50VVds
耗散功率Max 140W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 10.75 mm
封装 TO-262-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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STI26NM60N | ST Microelectronics 意法半导体 | N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: STI26NM60N 品牌: ST Microelectronics 意法半导体 封装: I2PAK N-Channel | 当前型号 | N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics | 当前型号 | |
型号: STB25NM60N-1 品牌: 意法半导体 封装: I2PAK N-Channel 650V 12.8A 170mohms 2.54nF | 类似代替 | N沟道600V - 0.140ヘ - 20A - TO- 220 / FP- I2 / D2PAK - TO- 247第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 600V - 0.140ヘ - 20A - TO-220 /FP- I2/D2PAK - TO-247 Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET | STI26NM60N和STB25NM60N-1的区别 | |
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型号: STP25NM60ND 品牌: 意法半导体 封装: TO-220 N-Channel | 功能相似 | N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics | STI26NM60N和STP25NM60ND的区别 |