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STI26NM60N

STI26NM60N

数据手册.pdf

N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK


立创商城:
N沟道 600V 20A


欧时:
STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET 晶体管 STI26NM60N, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 I2PAK封装


STI26NM60N中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 140W Tc

输入电容Ciss 1800pF @50VVds

耗散功率Max 140W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 10.75 mm

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

STI26NM60N引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
STI26NM60N ST Microelectronics 意法半导体 N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics 搜索库存
替代型号STI26NM60N
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: STI26NM60N

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: I2PAK N-Channel

当前型号

N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

当前型号

型号: STB25NM60N-1

品牌: 意法半导体

封装: I2PAK N-Channel 650V 12.8A 170mohms 2.54nF

类似代替

N沟道600V - 0.140ヘ - 20A - TO- 220 / FP- I2 / D2PAK - TO- 247第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 600V - 0.140ヘ - 20A - TO-220 /FP- I2/D2PAK - TO-247 Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET

STI26NM60N和STB25NM60N-1的区别

型号: IPW60R165CP

品牌: 英飞凌

封装: TO-247 N-Channel 600V 21A 2nF

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型号: STP25NM60ND

品牌: 意法半导体

封装: TO-220 N-Channel

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STI26NM60N和STP25NM60ND的区别