IPW60R165CP、STI26NM60N、STI25NM60ND对比区别

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型号 IPW60R165CP STI26NM60N STI25NM60ND

描述 Infineon CoolMOS™CP 功率 MOSFETN 通道 MDmesh™，600V/650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN沟道600 V ， 0.13 Ω ，21是FDmesh ？二功率MOSFET D2PAK ， I2PAK ，TO- 220FP ，TO- 220，TO- 247 N-channel 600 V, 0.13 Ω, 21 A FDmesh™ II Power MOSFET D2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-247-3 TO-262-3 TO-262-3

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 192 W 140W (Tc) 160 W

输入电容(Ciss) 2000pF @100V(Vds) 1800pF @50V(Vds) 2400pF @50V(Vds)

耗散功率(Max) 192W (Tc) 140W (Tc) 160W (Tc)

额定电压(DC) 600 V - -

额定电流 21.0 A - -

通道数 1 - 1

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.15 Ω - 160 mΩ

阈值电压 3 V - -

输入电容 2.00 nF - -

栅电荷 52.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 600 V - 600 V

连续漏极电流(Ids) 21.0 A - 21A

额定功率(Max) 192 W - -

下降时间 5 ns - 40 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - 55 ℃

漏源击穿电压 - - 600 V

上升时间 - - 30 ns

长度 16.13 mm 10.4 mm 10 mm

宽度 5.21 mm 4.6 mm 4.4 mm

高度 21.1 mm 10.75 mm 8.95 mm

封装 TO-247-3 TO-262-3 TO-262-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - -

香港进出口证 NLR - -