STB25NM60N-1、STI26NM60N、STI25NM60ND对比区别
型号 STB25NM60N-1 STI26NM60N STI25NM60ND
描述 N沟道600V - 0.140ヘ - 20A - TO- 220 / FP- I2 / D2PAK - TO- 247第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 600V - 0.140ヘ - 20A - TO-220 /FP- I2/D2PAK - TO-247 Second generation MDmesh⑩ Power MOSFETN 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsN沟道600 V , 0.13 Ω ,21是FDmesh ?二功率MOSFET D2PAK , I2PAK ,TO- 220FP ,TO- 220,TO- 247 N-channel 600 V, 0.13 Ω, 21 A FDmesh™ II Power MOSFET D2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 -
封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3
额定电压(DC) 600 V - -
额定电流 20.0 A - -
漏源极电阻 170 mΩ - 160 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 160 W 140W (Tc) 160 W
输入电容 2.54 nF - -
栅电荷 84.0 nC - -
漏源极电压(Vds) 600 V - 600 V
漏源击穿电压 600 V - 600 V
连续漏极电流(Ids) 12.8 A, 20.0 A - 21A
上升时间 18 ns - 30 ns
输入电容(Ciss) 2400pF @50V(Vds) 1800pF @50V(Vds) 2400pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 160 W - -
下降时间 24 ns - 40 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - 55 ℃
耗散功率(Max) 160W (Tc) 140W (Tc) 160W (Tc)
通道数 - - 1
长度 10 mm 10.4 mm 10 mm
宽度 4.4 mm 4.6 mm 4.4 mm
高度 8.95 mm 10.75 mm 8.95 mm
封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free