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STB25NM60N-1、STI26NM60N、STI25NM60ND对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STB25NM60N-1 STI26NM60N STI25NM60ND

描述 N沟道600V - 0.140ヘ - 20A - TO- 220 / FP- I2 / D2PAK - TO- 247第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 600V - 0.140ヘ - 20A - TO-220 /FP- I2/D2PAK - TO-247 Second generation MDmesh⑩ Power MOSFETN 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsN沟道600 V , 0.13 Ω ,21是FDmesh ?二功率MOSFET D2PAK , I2PAK ,TO- 220FP ,TO- 220,TO- 247 N-channel 600 V, 0.13 Ω, 21 A FDmesh™ II Power MOSFET D2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3

额定电压(DC) 600 V - -

额定电流 20.0 A - -

漏源极电阻 170 mΩ - 160 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 160 W 140W (Tc) 160 W

输入电容 2.54 nF - -

栅电荷 84.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 600 V - 600 V

漏源击穿电压 600 V - 600 V

连续漏极电流(Ids) 12.8 A, 20.0 A - 21A

上升时间 18 ns - 30 ns

输入电容(Ciss) 2400pF @50V(Vds) 1800pF @50V(Vds) 2400pF @50V(Vds)

额定功率(Max) 160 W - -

下降时间 24 ns - 40 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - 55 ℃

耗散功率(Max) 160W (Tc) 140W (Tc) 160W (Tc)

通道数 - - 1

长度 10 mm 10.4 mm 10 mm

宽度 4.4 mm 4.6 mm 4.4 mm

高度 8.95 mm 10.75 mm 8.95 mm

封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free