STB5NK52ZD-1中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 70W Tc
漏源极电压Vds 520 V
输入电容Ciss 529pF @25VVds
额定功率Max 70 W
耗散功率Max 70W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3
外形尺寸
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STB5NK52ZD-1引脚图与封装图
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在线购买STB5NK52ZD-1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STB5NK52ZD-1 | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道520V - 1.22ヘ - 4.4A - TO- 220 - DPAK - I2PAK - IPAK齐纳保护SuperMESH⑩功率MOSFET N-channel 520V - 1.22ヘ - 4.4A - TO-220 - DPAK - I2PAK - IPAK Zener-protected SuperMESH⑩ Power MOSFET | 搜索库存 |
替代型号STB5NK52ZD-1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STB5NK52ZD-1 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： I²Pak | 当前型号 | N沟道520V - 1.22ヘ - 4.4A - TO- 220 - DPAK - I2PAK - IPAK齐纳保护SuperMESH⑩功率MOSFET N-channel 520V - 1.22ヘ - 4.4A - TO-220 - DPAK - I2PAK - IPAK Zener-protected SuperMESH⑩ Power MOSFET | 当前型号 |
| 型号： STP5NK52ZD 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-CH 520V 4.4A | 功能相似 | N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | STB5NK52ZD-1和STP5NK52ZD的区别 |
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