KF5N50IZ、STB5NK52ZD-1、SFF430M对比区别

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型号 KF5N50IZ STB5NK52ZD-1 SFF430M

描述 N-CH 500V 4.3AN沟道520V - 1.22ヘ - 4.4A - TO- 220 - DPAK - I2PAK - IPAK齐纳保护SuperMESH⑩功率MOSFET N-channel 520V - 1.22ヘ - 4.4A - TO-220 - DPAK - I2PAK - IPAK Zener-protected SuperMESH⑩ Power MOSFETTO-254 N-CH 500V 4.5A

数据手册 ---

制造商 KEC(Korea Electronics) (KEC株式会社) ST Microelectronics (意法半导体) Solid State Devices

分类 MOS管

安装方式 - Through Hole -

封装 - TO-262-3 TO-254

耗散功率 - 70W (Tc) -

漏源极电压(Vds) 500 V 520 V 500 V

输入电容(Ciss) - 529pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 70 W -

耗散功率(Max) - 70W (Tc) -

极性 N-CH - N-CH

连续漏极电流(Ids) 4.3A - 4.5A

封装 - TO-262-3 TO-254

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 - Unknown Active

包装方式 - Tube -

RoHS标准 - RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -