STB5NK52ZD-1、UF830L-TN3-R、STP5NK52ZD对比区别

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型号 STB5NK52ZD-1 UF830L-TN3-R STP5NK52ZD

描述 N沟道520V - 1.22ヘ - 4.4A - TO- 220 - DPAK - I2PAK - IPAK齐纳保护SuperMESH⑩功率MOSFET N-channel 520V - 1.22ヘ - 4.4A - TO-220 - DPAK - I2PAK - IPAK Zener-protected SuperMESH⑩ Power MOSFETUF830L-TN3-R 编带N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) UTC (友顺) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

封装 TO-262-3 TO-252-2 TO-220-3

安装方式 Through Hole - Through Hole

引脚数 - - 3

极性 - N-CH N-CH

漏源极电压(Vds) 520 V 500 V 520 V

连续漏极电流(Ids) - 4.5A 4.4A

耗散功率 70W (Tc) - 25W (Tc)

上升时间 - - 13.6 ns

输入电容(Ciss) 529pF @25V(Vds) - 529pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 70 W - 70 W

下降时间 - - 15 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) 70W (Tc) - 25W (Tc)

封装 TO-262-3 TO-252-2 TO-220-3

长度 - - 10.4 mm

宽度 - - 4.6 mm

高度 - - 15.75 mm

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 - - EAR99