IRF640SPBF、STB19NF20、IRF640NSPBF对比区别

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型号 IRF640SPBF STB19NF20 IRF640NSPBF

描述 功率MOSFET Power MOSFETSTB19NF20 系列 200 V 0.16 Ohm 表面贴装 N 沟道 功率 MOSFET - D2PAKINTERNATIONAL RECTIFIER  IRF640NSPBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 200V, 18A, D2-PAK 新

数据手册 ---

制造商 VISHAY (威世) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) - - 200 V

额定电流 - - 18.0 A

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.18 Ω - 0.15 Ω

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 130 W 90 W 150 W

产品系列 - - IRF640NS

阈值电压 4 V - 4 V

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

漏源击穿电压 - - 200 V

连续漏极电流(Ids) 18.0 A - 18.0 A

上升时间 51 ns 22 ns 19 ns

输入电容(Ciss) 1300pF @25V(Vds) 800pF @25V(Vds) 1160pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 130 W 90 W 150 W

下降时间 36 ns 11 ns 5.5 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 130 W 90W (Tc) 150000 mW

通道数 - 1 -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 10.67 mm 10.75 mm -

宽度 9.65 mm 10.4 mm -

高度 4.83 mm 4.6 mm -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

最小包装 2000 - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 - EAR99 EAR99

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -