SPP20N60S5、SPW16N50C3FKSA1、SIHP22N60E-E3对比区别
型号 SPP20N60S5 SPW16N50C3FKSA1 SIHP22N60E-E3
描述 Infineon CoolMOS™S5 功率 MOSFET 系列 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 MOSFET SPW16N50C3FKSA1, 16 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-247封装N 通道 MOSFET，E 系列，低品质因数，Vishay SemiconductorVishay E 系列 MOSFET 电源是高电压晶体管，具有超低最大接通电阻、低灵敏值和快速切换功能。 它们提供各种电流额定值。 典型应用包括服务器和电信电源、LED 照明、回扫转换器、功率因数校正 (PFC) 和开关模式电源 (SMPS)。### 特点低灵敏值 (FOM) RDS(on) x Qg 低输入电容 (Ciss) 低接通电阻（RDS（接通）） 超低栅极电荷 (Qg) 快速切换 减少切换和传导损耗 ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-220-3
额定电压(DC) 650 V 560 V -
额定电流 20.0 A 16.0 A -
额定功率 208 W - -
通道数 1 - -
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 190 mΩ 0.25 Ω 0.15 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 208 W 160 W 227 W
阈值电压 4.5 V 3 V 2 V
输入电容 3.00 nF - -
栅电荷 103 nC - -
漏源极电压(Vds) 600 V 560 V 600 V
漏源击穿电压 600 V - -
连续漏极电流(Ids) 20.0 A 16.0 A -
上升时间 25 ns 8 ns -
输入电容(Ciss) 3000pF @25V(Vds) 1600pF @25V(Vds) 1920pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 208 W - -
下降时间 30 ns 8 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
工作结温(Max) 150 ℃ - -
耗散功率(Max) 208W (Tc) 160 W 227 W
长度 10 mm 16.13 mm 10.51 mm
宽度 4.4 mm 5.21 mm 4.65 mm
高度 15.65 mm 21.1 mm 15.49 mm
封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs -
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2014/12/17 - -
ECCN代码 EAR99 - -