制造商型号： | SI3585CDV-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 自营 digikey |
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SILICONIX(威世) SI3585CDV-T1-GE3
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SI3585CDV-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SI3585CDV-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 2.1 A, 3.9 A
漏源电阻 58 mOhms, 195 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 3.2 nC, 6 nC
耗散功率 1.3 W, 1.4 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 9 ns, 28 ns
正向跨导（Min） 1 S, 12 S
上升时间 16 ns, 37 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns, 25 ns
典型接通延迟时间 15 ns, 16 ns
外形参数
高度 1.1 mm
长度 3.05 mm
宽度 1.65 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI3585CDV-GE3
单位重量 20 mg
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3000 | 1.46299 | 4388.97 |
| 6000 | 1.415797 | 8494.78 |
品牌其他型号
SI3585CDV-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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