IRFU5305PBF、SPD30P06P、IRFU5305对比区别
型号 IRFU5305PBF SPD30P06P IRFU5305
描述 P 通道功率 MOSFET 超过 8A，InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-TransistorIPAK P-CH 55V 31A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-251-3 TO-252-3 TO-251-3
额定功率 89 W - -
针脚数 3 - -
漏源极电阻 0.065 Ω - -
极性 P-Channel P-CH P-CH
耗散功率 69 W 125 W 110W (Tc)
阈值电压 4 V - -
漏源极电压(Vds) 55 V 60 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 31A 30.0 A 31.0 A
上升时间 66 ns 11 ns 66 ns
输入电容(Ciss) 1200pF @25V(Vds) 1535pF @25V(Vds) 1200pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 110 W - -
下降时间 63 ns 20 ns 63 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 110W (Tc) 125W (Tc) 110W (Tc)
额定电压(DC) - -60.0 V -55.0 V
额定电流 - -30.0 A -28.0 A
产品系列 - - IRFU5305
长度 6.6 mm 6.5 mm -
宽度 2.3 mm 6.22 mm -
高度 6.1 mm 2.3 mm -
脚长度 9.65 mm - -
封装 TO-251-3 TO-252-3 TO-251-3
材质 Silicon - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -