SPB80N10L
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
SPB80N10L中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 100 V
额定电流 80.0 A
极性 N-CH
耗散功率 250W Tc
输入电容 4.54 nF
栅电荷 240 nC
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 80.0 A
输入电容Ciss 4540pF @25VVds
耗散功率Max 250W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3-2
外形尺寸
封装 TO-263-3-2
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
SPB80N10L引脚图与封装图
暂无图片
替代型号SPB80N10L
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SPB80N10L 品牌： Infineon 英飞凌 封装： D2PAK N-CH 100V 80A 4.54nF | 当前型号 | SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor | 当前型号 |
| 型号： SPP80N10L 品牌： 英飞凌 封装： TO-220 N-CH 100V 80A 4.54nF | 完全替代 | SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor | SPB80N10L和SPP80N10L的区别 |
| 型号： SPI80N10L 品牌： 英飞凌 封装： TO-262 N-CH 100V 80A 4.54nF | 完全替代 | SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor | SPB80N10L和SPI80N10L的区别 |
| 型号： SPB80N10LG 品牌： 英飞凌 封装： TO-263 100V 80A 4.54nF | 完全替代 | Power Field-Effect Transistor, 80A ID, 100V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-263, 3 PIN | SPB80N10L和SPB80N10LG的区别 |