2SJ315、SPD09P06PL、RFD8P06LE对比区别

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型号 2SJ315 SPD09P06PL RFD8P06LE

描述 东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型DC-DC转换4伏栅极驱动低漏源电阻高正向转移导纳低漏电流增强模式SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-TransistorPower Field-Effect Transistor, 8A I(D), 60V, 0.33ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA

数据手册 ---

制造商 Toshiba (东芝) Infineon (英飞凌) Harris

分类 MOS管

封装 PW-MOLD TO-252-3 -

安装方式 - Surface Mount -

封装 PW-MOLD TO-252-3 -

产品生命周期 Obsolete Discontinued at Digi-Key Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

额定电压(DC) - -60.0 V -

额定电流 - -9.70 A -

极性 - P-CH -

耗散功率 - 42W (Tc) -

漏源极电压(Vds) - 60 V -

连续漏极电流(Ids) - 9.7A -

输入电容(Ciss) - 450pF @25V(Vds) -

耗散功率(Max) - 42W (Tc) -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -