STP6NK70Z、STP9NK70Z、STD3NK50Z-1对比区别

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型号 STP6NK70Z STP9NK70Z STD3NK50Z-1

描述 N沟道700V - 1.5ohm - 5A TO- 220 / TO- 220FP齐纳保护超网MOSFET N-CHANNEL 700V - 1.5ohm - 5A TO-220/TO-220FP Zener-Protected SuperMESH MOSFETSTMICROELECTRONICS  STP9NK70Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 700 V, 1 ohm, 10 V, 3.75 VSTMICROELECTRONICS  STD3NK50Z-1  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.15 A, 500 V, 2.8 ohm, 10 V, 3.75 V

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管中高压MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-251-3

额定电压(DC) 700 V 700 V -

额定电流 5.00 A 7.50 A -

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 1 Ω 2.8 Ω

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 110W (Tc) 115 W 45 W

阈值电压 - 3.75 V 3.75 V

漏源极电压(Vds) 700 V 700 V 500 V

漏源击穿电压 - 700 V 500 V

栅源击穿电压 - ±30.0 V -

连续漏极电流(Ids) 5.00 A 4.00 A 1.15 A

上升时间 - 17 ns 13 ns

输入电容(Ciss) 930pF @25V(Vds) 1370pF @25V(Vds) 280pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 115 W -

下降时间 - 13 ns 14 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 110W (Tc) 115W (Tc) 45W (Tc)

通道数 - - 1

长度 - 10.4 mm 6.6 mm

宽度 - 4.6 mm 2.4 mm

高度 - 16.4 mm 6.2 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-251-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17