STD100N03LT4、STD100N3LF3、IPB034N03LGATMA1对比区别

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型号 STD100N03LT4 STD100N3LF3 IPB034N03LGATMA1

描述 N沟道30V - 0.0045з - 80A - DPAK - IPAK平面STripFET⑩ MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.0045з - 80A - DPAK - IPAK Planar STripFET⑩ MOSFETN沟道30 V ， 0.0045 Ω ， 80 A， DPAK平面的STripFET ？二功率MOSFET N-channel 30 V, 0.0045 Ω, 80 A, DPAK planar STripFET? II Power MOSFETINFINEON  IPB034N03LGATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 2.8 mohm, 10 V, 1 V

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-263

通道数 - 1 -

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 110W (Tc) 110 W 94 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 80.0 A 80A 80A

上升时间 205 ns 205 ns 6.4 ns

输入电容(Ciss) 2060pF @25V(Vds) 2060pF @25V(Vds) 4000pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 110 W 110 W -

下降时间 - 35 ns 5.4 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 110W (Tc) 110W (Tc) 94 W

额定功率 - - 94 W

针脚数 - - 3

漏源极电阻 5.50 mΩ - 0.0028 Ω

阈值电压 - - 1 V

额定电压(DC) 30.0 V - -

额定电流 80.0 A - -

输入电容 2.06 nF - -

栅电荷 20.0 nC - -

漏源击穿电压 30.0 V - -

宽度 - 6.2 mm 9.45 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-263

长度 - - 10.31 mm

高度 - - 4.57 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17