IRF7821PBF、SI4048DY-T1-GE3、FDS6680A对比区别

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型号 IRF7821PBF SI4048DY-T1-GE3 FDS6680A

描述 INFINEON  IRF7821PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 13.6 A, 30 V, 9.1 mohm, 10 V, 1 VVISHAY  SI4048DY-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 19.3 A, 30 V, 0.007 ohm, 10 V, 1 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6680A  晶体管, MOSFET, N沟道, 12.5 A, 30 V, 9.5 mohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8

额定功率 2.5 W - -

针脚数 8 8 8

漏源极电阻 0.0091 Ω 0.007 Ω 0.0095 Ω

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 5.7 W 2.5 W

阈值电压 1 V 1 V 2 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 13.6A - 12.5 A

上升时间 2.7 ns - 5 ns

输入电容(Ciss) 1010pF @15V(Vds) - 1620pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W - 1 W

下降时间 7.3 ns - 15 ns

工作温度(Max) 155 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) - 2.5W (Ta)

额定电压(DC) - - 30.0 V

额定电流 - - 12.5 A

漏源击穿电压 - - 30.0 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

长度 5 mm - 5 mm

宽度 4 mm - 4 mm

高度 1.5 mm - 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 155℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active - Unknown

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/06/15

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

ECCN代码 - - EAR99