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SI7460DP-T1-GE3

SI7460DP-T1-GE3

数据手册.pdf

VISHAY  SI7460DP-T1-GE3  晶体管, MOSFET, 沟槽式FET, N沟道, 11 A, 60 V, 0.008 ohm, 10 V, 3 V 新

The is an N-channel Fast Switching MOSFET features a new low thermal resistance PowerPAK® package with low 1.07mm profile.

.
Halogen-free in according to IEC 61249-2-21 standard

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R


富昌:
单 N沟道 60 V 9.6 mΩ 100 nC 表面贴装 功率 Mosfet - PowerPAK-SO-8


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R


Newark:
# VISHAY  SI7460DP-T1-GE3  MOSFET Transistor, N Channel, 18 A, 60 V, 0.08 ohm, 4.5 V, 1 V


SI7460DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.08 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 5.4 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 11.0 A, 18.0 A

上升时间 16 ns

下降时间 30 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerPAK SO

外形尺寸

封装 PowerPAK SO

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

SI7460DP-T1-GE3引脚图与封装图
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在线购买SI7460DP-T1-GE3
型号 制造商 描述 购买
SI7460DP-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  SI7460DP-T1-GE3  晶体管, MOSFET, 沟槽式FET, N沟道, 11 A, 60 V, 0.008 ohm, 10 V, 3 V 新 搜索库存
替代型号SI7460DP-T1-GE3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： SI7460DP-T1-GE3

品牌： Vishay Semiconductor 威世

封装： PowerPAK N-Channel 60V 11A

当前型号

VISHAY  SI7460DP-T1-GE3  晶体管, MOSFET, 沟槽式FET, N沟道, 11 A, 60 V, 0.008 ohm, 10 V, 3 V 新

当前型号

型号： SI7164DP-T1-GE3

品牌： 威世

封装： PowerPAK N-Channel 60V 60A

类似代替

VISHAY  SI7164DP-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 0.005 ohm, 10 V, 2.5 V

SI7460DP-T1-GE3和SI7164DP-T1-GE3的区别

型号： IRFH5206TRPBF

品牌： 英飞凌

封装： REEL N-Channel 60V 89A

功能相似

INFINEON  IRFH5206TRPBF  场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 89A, PQFN-8, 整卷

SI7460DP-T1-GE3和IRFH5206TRPBF的区别