IRFH5206TRPBF、SI7460DP-T1-GE3、SI7164DP-T1-GE3对比区别
型号 IRFH5206TRPBF SI7460DP-T1-GE3 SI7164DP-T1-GE3
描述 INFINEON IRFH5206TRPBF 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 89A, PQFN-8, 整卷VISHAY SI7460DP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, 沟槽式FET, N沟道, 11 A, 60 V, 0.008 ohm, 10 V, 3 V 新VISHAY SI7164DP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 0.005 ohm, 10 V, 2.5 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 PQFN-8 PowerPAK SO PowerPAK SO
额定功率 3.6 W - -
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 0.0056 Ω 0.08 Ω 0.005 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 3.6 W 5.4 W 104 W
产品系列 IRFH5206 - -
阈值电压 2 V 1 V 2.5 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 89.0 A 11.0 A, 18.0 A 60.0 A
上升时间 11 ns 16 ns 11 ns
输入电容(Ciss) 2490pF @25V(Vds) - 2830pF @30V(Vds)
下降时间 8.2 ns 30 ns 11 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 3.6W (Ta), 100W (Tc) - 104 W
长度 6 mm - 6.25 mm
宽度 5 mm - 5.26 mm
高度 0.83 mm - 1.12 mm
封装 PQFN-8 PowerPAK SO PowerPAK SO
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active - -
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC