SI7164DP-T1-GE3、SI7460DP-T1-GE3、IRFH5206TRPBF对比区别

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型号 SI7164DP-T1-GE3 SI7460DP-T1-GE3 IRFH5206TRPBF

描述 VISHAY  SI7164DP-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 0.005 ohm, 10 V, 2.5 VVISHAY  SI7460DP-T1-GE3  晶体管, MOSFET, 沟槽式FET, N沟道, 11 A, 60 V, 0.008 ohm, 10 V, 3 V 新INFINEON  IRFH5206TRPBF  场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 89A, PQFN-8, 整卷

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 PowerPAK SO PowerPAK SO PQFN-8

针脚数 8 8 8

漏源极电阻 0.005 Ω 0.08 Ω 0.0056 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 104 W 5.4 W 3.6 W

阈值电压 2.5 V 1 V 2 V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 60.0 A 11.0 A, 18.0 A 89.0 A

上升时间 11 ns 16 ns 11 ns

下降时间 11 ns 30 ns 8.2 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

额定功率 - - 3.6 W

产品系列 - - IRFH5206

输入电容(Ciss) 2830pF @30V(Vds) - 2490pF @25V(Vds)

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 104 W - 3.6W (Ta), 100W (Tc)

封装 PowerPAK SO PowerPAK SO PQFN-8

长度 6.25 mm - 6 mm

宽度 5.26 mm - 5 mm

高度 1.12 mm - 0.83 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

产品生命周期 - - Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17