SI7718DN-T1-GE3、SIS402DN-T1-GE3对比区别

高亮显示差异参数

型号 SI7718DN-T1-GE3 SIS402DN-T1-GE3

描述 VISHAY  SI7718DN-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N通道, 30V, 35A POWERPAKVISHAY  SIS402DN-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N通道, 30V, 35A POWERPAK, 整卷

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管

引脚数 8 8

封装 1212 1212

针脚数 8 8

漏源极电阻 8.2 mΩ 0.0048 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 3.7 W 3.8 W

阈值电压 2.5 V 3 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 35.0 A 35.0 A

上升时间 - 20 ns

输入电容(Ciss) - 1700pF @15V(Vds)

下降时间 - 15 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 3800 mW

高度 - 1.07 mm

封装 1212 1212

工作温度 - -55℃ ~ 150℃

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free