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FDS6890A_NL、SI4963DY、SI4966DY-T1-E3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDS6890A_NL SI4963DY SI4966DY-T1-E3

描述 Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET双P沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFETMOSFET, Power; Dual N-Ch; VDSS 20V; RDS(ON) 0.019Ω; ID +/-7.1A; SO-8; PD 2W; VGS +/-1

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 8 8

封装 SOIC SO-8 SOIC-8

漏源极电阻 - 23.0 mΩ 0.019 Ω

极性 N-CH P-Channel -

耗散功率 - 2 W 2 W

漏源击穿电压 - 20.0 V 20 V

栅源击穿电压 - ±12.0 V -

连续漏极电流(Ids) 7.5A -6.20 A -

上升时间 - 11 ns -

下降时间 - 37 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

漏源极电压(Vds) 20 V - 20 V

额定功率(Max) - - 2 W

长度 - 4.9 mm -

宽度 - 3.9 mm -

高度 - 1.75 mm -

封装 SOIC SO-8 SOIC-8

产品生命周期 Unknown Unknown Last Time Buy

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 EAR99 - -