STB23NM60N、STB25NM60NT4、STD15NF10T4对比区别

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型号 STB23NM60N STB25NM60NT4 STD15NF10T4

描述 N沟道600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO- 220 / FP TO- 247 ，第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO-220/FP TO-247, second generation MDmesh? Power MOSFETD2PAK N-CH 600V 21ASTMICROELECTRONICS  STD15NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 65 mohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 D2PAK TO-252-3

引脚数 - - 3

耗散功率 150W (Tc) - 70 W

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 100 V

输入电容(Ciss) 2050pF @50V(Vds) - 870pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 150W (Tc) - 70W (Tc)

极性 - N-CH N-Channel

连续漏极电流(Ids) - 21A 23.0 A

额定电压(DC) - - 100 V

额定电流 - - 23.0 A

通道数 - - 1

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 0.065 Ω

阈值电压 - - 3 V

漏源击穿电压 - - 100 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

上升时间 - - 45 ns

额定功率(Max) - - 70 W

下降时间 - - 17 ns

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

封装 TO-263-3 D2PAK TO-252-3

长度 - - 6.6 mm

宽度 - - 6.2 mm

高度 - - 2.4 mm

工作温度 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Obsolete Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99