STF26NM60N-H中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
极性 N-CH
耗散功率 30W Tc
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 20A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 1800pF @50VVds
下降时间 50 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 30W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STF26NM60N-H引脚图与封装图
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在线购买STF26NM60N-H
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STF26NM60N-H | ST Microelectronics 意法半导体 | TO-220FP N-CH 600V 20A | 搜索库存 |
替代型号STF26NM60N-H
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STF26NM60N-H 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-220-3 N-CH 600V 20A | 当前型号 | TO-220FP N-CH 600V 20A | 当前型号 |
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