STF26NM60N-H、STFI26NM60N、STF26NM60N对比区别

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型号 STF26NM60N-H STFI26NM60N STF26NM60N

描述 TO-220FP N-CH 600V 20A600V,20A,N沟道MOSFETN 通道 MDmesh™，600V/650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-262-3 TO-220-3

通道数 1 1 -

漏源极电阻 - 165 mΩ -

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 30W (Tc) 30 W 35 W

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

漏源击穿电压 - 600 V -

连续漏极电流(Ids) 20A 20A 10.0 A

上升时间 25 ns 25 ns 25 ns

输入电容(Ciss) 1800pF @50V(Vds) 1800pF @50V(Vds) 1800pF @50V(Vds)

下降时间 50 ns 50 ns 50 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 30W (Tc) 35W (Tc) 35W (Tc)

额定功率(Max) - - 30 W

封装 TO-220-3 TO-262-3 TO-220-3

长度 - - 10.4 mm

宽度 - - 4.6 mm

高度 - - 16.4 mm

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free PB free Lead Free

香港进出口证 - - NLR