STF25NM60N、STF26NM60N-H、STF26NM60N对比区别

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型号 STF25NM60N STF26NM60N-H STF26NM60N

描述 N沟道600 V ， 0.130 Ω ， 21 A，的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 ， TO- 220FP ， I2PAK ， D2PAK ， TO- 247 N-channel 600 V, 0.130 Ω , 21 A, MDmesh™ II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, I2PAK, D2PAK, TO-247TO-220FP N-CH 600V 20AN 通道 MDmesh™，600V/650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

通道数 - 1 -

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 40W (Tc) 30W (Tc) 35 W

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 20.0 A 20A 10.0 A

上升时间 18 ns 25 ns 25 ns

输入电容(Ciss) 2400pF @50V(Vds) 1800pF @50V(Vds) 1800pF @50V(Vds)

下降时间 24 ns 50 ns 50 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 40W (Tc) 30W (Tc) 35W (Tc)

额定功率(Max) 40 W - 30 W

额定电压(DC) 600 V - -

额定电流 20.0 A - -

漏源极电阻 170 mΩ - -

输入电容 2.54 nF - -

栅电荷 84.0 nC - -

漏源击穿电压 600 V - -

栅源击穿电压 ±25.0 V - -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 - - 10.4 mm

宽度 - - 4.6 mm

高度 - - 16.4 mm

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Unknown Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

香港进出口证 - - NLR