STB80N20M5、STB95N3LLH6、IRFS4227PBF对比区别

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型号 STB80N20M5 STB95N3LLH6 IRFS4227PBF

描述 200V,0.019Ω,65A,N沟道功率MOSFETN 通道 MOSFET，已停产### MOSFET - N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管或 MOSFET 是用于放大或切换电子信号的晶体管。 氧化物绝缘的栅极上的电压可在其它两个触点（称作源极和漏极）之间感应出一个导电通道。该通道可为 N 型或 P 型。Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3Pin(2+Tab) D2PAK Tube

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.019 Ω 0.0037 Ω -

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 190 W 70 W 330 W

阈值电压 5 V 1 V -

漏源极电压(Vds) 200 V 30 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 61A 80A 62.0 A

上升时间 31 ns 91 ns -

输入电容(Ciss) 4329pF @50V(Vds) 2200pF @25V(Vds) 4600pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 190 W - 330 W

下降时间 176 ns 23.4 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 190W (Tc) 70W (Tc) -

产品系列 - - IRFS4227

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 - 10.75 mm -

宽度 - 10.4 mm -

高度 - 4.6 mm -

材质 Silicon - -

工作温度 150℃ (TJ) 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -