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SPA08N80C3XKSA1、STF10LN80K5、IPA80R650CEXKSA2对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SPA08N80C3XKSA1 STF10LN80K5 IPA80R650CEXKSA2

描述 INFINEON  SPA08N80C3XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 800 V, 650 mohm, 10 V, 3 VSTF10LN80K5 系列 800 V 8 A 0.63 Ohm N-沟道 MDmesh™ K5 功率 Mosfet-TO-220FP晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 800 V, 0.56 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 中高压MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.65 Ω 0.55 Ω 0.56 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 40 W 25 W 33 W

阈值电压 3 V 4 V 3 V

漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V

连续漏极电流(Ids) 8.00 A 8A 8A

上升时间 15 ns 10 ns 15 ns

输入电容(Ciss) 1100pF @100V(Vds) 427pF @100V(Vds) 1100pF @100V(Vds)

下降时间 7 ns 13 ns 10 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 40 W 25W (Tc) 33W (Tc)

额定电压(DC) 800 V - -

额定电流 8.00 A - -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 10.65 mm - 10.65 mm

宽度 4.85 mm - 4.85 mm

高度 16.15 mm - 16.15 mm

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Rail, Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

REACH SVHC版本 2015/12/17 2016/06/20 -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 - EAR99 -