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SZMMBZ12VALT1G

SZMMBZ12VALT1G

数据手册.pdf

40W 双齐纳瞬态电压抑制器,ON SemiconductorSOT-23 双共阳极齐纳,用于 ESD 防护。 旨在用于电压和 ESD 敏感设备,如计算机、打印机、商业机器、通信系统、医疗设备和其他应用。### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor

40W 双齐纳瞬态电压抑制器,

SOT-23 双共阳极齐纳,用于 ESD 防护。

旨在用于电压和 ESD 敏感设备,如计算机、打印机、商业机器、通信系统、医疗设备和其他应用。


得捷:
TVS DIODE 8.5VWM 17VC SOT23-3


欧时:
### 40W 双齐纳瞬态电压抑制器,ON SemiconductorSOT-23 双共阳极齐纳,用于 ESD 防护。 旨在用于电压和 ESD 敏感设备,如计算机、打印机、商业机器、通信系统、医疗设备和其他应用。### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor


立创商城:
SZMMBZ12VALT1G


e络盟:
TVS二极管, 单向, 8.5 V, 17 V, SOT-23, 3 引脚


艾睿:
Install this tvs SZMMBZ12VALT1G ESD protection device from ON Semiconductor to prevent future damage to your electronic equipment from electrostatic discharge. This device&s;s maximum clamping voltage is 17 V. This ESD diode has a maximum ESD protection device voltage of 16@HBM/0.4@MM kV. This ESD diode has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This product will be shipped in tape and reel packaging for quick mounting and safe delivery. It is made in a dual common anode|single configuration.


Allied Electronics:
SZMMBZ12VALT1G, Dual Uni-Directional TVS Diode, 40W, 3-Pin SOT-23


安富利:
ESD Suppressor TVS 16KV 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
ESD Suppressor TVS 16kV Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
ESD Suppressor Diode Zener Uni-Dir/Bi-Dir 8.5V Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


SZMMBZ12VALT1G中文资料参数规格
技术参数

电路数 2

针脚数 3

耗散功率 0.3 W

钳位电压 17 V

测试电流 1 mA

最大反向击穿电压 12.6 V

脉冲峰值功率 40 W

最小反向击穿电压 11.4 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温 -55℃ ~ 150℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 1.40 mm

高度 1.01 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 汽车级

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

SZMMBZ12VALT1G引脚图与封装图
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在线购买SZMMBZ12VALT1G
型号 制造商 描述 购买
SZMMBZ12VALT1G ON Semiconductor 安森美 40W 双齐纳瞬态电压抑制器,ON Semiconductor SOT-23 双共阳极齐纳,用于 ESD 防护。 旨在用于电压和 ESD 敏感设备,如计算机、打印机、商业机器、通信系统、医疗设备和其他应用。 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor 搜索库存
替代型号SZMMBZ12VALT1G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SZMMBZ12VALT1G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: TO-236-3

当前型号

40W 双齐纳瞬态电压抑制器,ON SemiconductorSOT-23 双共阳极齐纳,用于 ESD 防护。 旨在用于电压和 ESD 敏感设备,如计算机、打印机、商业机器、通信系统、医疗设备和其他应用。### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor

当前型号

型号: MMBZ12VALT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 12V 40W

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SZMMBZ12VALT1G和MMBZ12VALT1G的区别