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SGW23N60UFDTM

SGW23N60UFDTM

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 3Pin2+Tab D2PAK T/R

IGBT 600V 23A 100W Surface Mount D²PAK


得捷:
N-CHANNEL IGBT


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


SGW23N60UFDTM中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 12.0 A

耗散功率 100000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 60 ns

额定功率Max 100 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 100000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

SGW23N60UFDTM引脚图与封装图
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在线购买SGW23N60UFDTM
型号 制造商 描述 购买
SGW23N60UFDTM Fairchild 飞兆/仙童 Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 3Pin2+Tab D2PAK T/R 搜索库存
替代型号SGW23N60UFDTM
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SGW23N60UFDTM

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: D2PAK 600V 12A 100000mW

当前型号

Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 3Pin2+Tab D2PAK T/R

当前型号

型号: IRG4BC30W-STRLP

品牌: 英飞凌

封装: D2PAK 100000mW

类似代替

Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 100000mW 3Pin2+Tab D2PAK T/R

SGW23N60UFDTM和IRG4BC30W-STRLP的区别

型号: IRG4BC30UDPBF

品牌: 英飞凌

封装: TO-220AB 100000mW

功能相似

INFINEON  IRG4BC30UDPBF  单晶体管, IGBT, 23 A, 2.52 V, 100 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚

SGW23N60UFDTM和IRG4BC30UDPBF的区别

型号: HGT1S10N120BNST

品牌: 安森美

封装: D2PAK 298000mW

功能相似

分离式 IGBT、1000V 及以上,Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块,Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

SGW23N60UFDTM和HGT1S10N120BNST的区别