额定电压DC 600 V
额定电流 12.0 A
耗散功率 100000 mW
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 60 ns
额定功率Max 100 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 100000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SGW23N60UFDTM | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 3Pin2+Tab D2PAK T/R | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: SGW23N60UFDTM 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: D2PAK 600V 12A 100000mW | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 3Pin2+Tab D2PAK T/R | 当前型号 | |
型号: IRG4BC30W-STRLP 品牌: 英飞凌 封装: D2PAK 100000mW | 类似代替 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 100000mW 3Pin2+Tab D2PAK T/R | SGW23N60UFDTM和IRG4BC30W-STRLP的区别 | |
型号: IRG4BC30UDPBF 品牌: 英飞凌 封装: TO-220AB 100000mW | 功能相似 | INFINEON IRG4BC30UDPBF 单晶体管, IGBT, 23 A, 2.52 V, 100 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚 | SGW23N60UFDTM和IRG4BC30UDPBF的区别 | |
型号: HGT1S10N120BNST 品牌: 安森美 封装: D2PAK 298000mW | 功能相似 | 分离式 IGBT、1000V 及以上,Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块,Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。 | SGW23N60UFDTM和HGT1S10N120BNST的区别 |